质量包管-可靠性实验

01

高温直流反向偏压测试（High Temperature Reverse Bias Test）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

02

间歇寿命试验测试（Intermittent Operational Life）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

03

事情寿命试验测试（Continuous Operation Test）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

04

抗静电能力试验(ESD Test)

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

05

浪涌电流测试（Peak Forward Surge Current Test）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

06

高温贮存试验（High Temperature Storage Test）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

07

低温贮存试验（Low Temperature Storage Test）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

08

恒温恒湿存储试验（Constant Temperature/Humidity Storage Test）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

09

温度循环测试（Temperature Cycling Test）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

10

耐焊接热试验/可焊性试验（Solder Heat Resistance Test/ Solderability Test ）

实验时机(妄想)	试验周期(H)	取样数目(PCS)
新品研发	1000	77*3(依据AEC-Q101)
年度试验	1000	77
新物料确认	168	77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控	168	22

实验种别：情形（温度）电应力复合验证
实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向事情能力
实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
实验装备：高温反偏试验系统

尊龙凯时肖特基二极管接纳先进的封装工艺，具有低正向压降的特点。电流涵盖了1A到60A，电压从40V到200V全笼罩，可以知足电源产品的高效率，高可靠性的需求。

尊龙凯时快恢复二极管接纳先进的封装工艺，电压从100V到1700V，电流从1A到300A,反向恢复时间从16ns到500ns ,适用于PFC电路，高频高压电源等。

尊龙凯时LOW VF快恢复二极管具有低的VF值、低泄电流，应用于PFC电路、高频高压电路、次级整流电路。

尊龙凯时共阴共阳快恢复二极管具有一致性好，低VF值、低Trr、低泄电流的特征，应用于高频桥式整流电路，正负压输出整流电路、高频高压大电流电路。

尊龙凯时肖特基二极管接纳先进的封装工艺，具有低正向压降的特点。电流涵盖了1A到60A，电压从40V到200V全笼罩，可以知足电源产品的高效率，高可靠性的需求。

尊龙凯时快恢复二极管接纳先进的封装工艺，电压从100V到1700V，电流从1A到300A,反向恢复时间从16ns到500ns ,适用于PFC电路，高频高压电源等。

尊龙凯时LOW VF快恢复二极管具有低的VF值、低泄电流，应用于PFC电路、高频高压电路、次级整流电路。

尊龙凯时共阴共阳快恢复二极管具有一致性好，低VF值、低Trr、低泄电流的特征，应用于高频桥式整流电路，正负压输出整流电路、高频高压大电流电路。

尊龙凯时肖特基二极管接纳先进的封装工艺，具有低正向压降的特点。电流涵盖了1A到60A，电压从40V到200V全笼罩，可以知足电源产品的高效率，高可靠性的需求。

尊龙凯时快恢复二极管接纳先进的封装工艺，电压从100V到1700V，电流从1A到300A,反向恢复时间从16ns到500ns ,适用于PFC电路，高频高压电源等。

尊龙凯时LOW VF快恢复二极管具有低的VF值、低泄电流，应用于PFC电路、高频高压电路、次级整流电路。

尊龙凯时共阴共阳快恢复二极管具有一致性好，低VF值、低Trr、低泄电流的特征，应用于高频桥式整流电路，正负压输出整流电路、高频高压大电流电路。