新能源充电桩

产品
- 整流器件类
  - 桥堆
    
    软桥
    
    产品概述
    
    通过优化二极管Ta/Tb(开通时间/关断时间)较软的恢复特征，大幅镌汰谐波振荡的爆发，从而镌汰或者减小桥堆周边EMI抑制器件的使用或者使用规格，例如X电容，共模电感，差模电感等。
    
    产品特点
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低频传导特征；降低AC输入线杂散电感；通过桥堆中整流二极管较平滑的恢复特征，抑制交流输入电压整流后造成的高频滋扰。
    
    2
    
    节约BOM本钱
    
    有用镌汰输入端共模电感与X电容的使用；由通俗共模电感+X电容+差模电感改为π型滤波（CLC滤波），降低BOM本钱。
    
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    通俗桥
    
    产品概述
    
    整流桥产品是由四只整流硅芯片作桥式毗连，有四个引出脚。两只二极管负极的毗连点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的毗连点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
    
    产品特点
    
    1
    
    整流桥
    
    整流桥当中的整流，是通过二极管的单向导通性来完成事情；简朴点说，二极管是单向的，它是正向导通和反向阻止。二极管只允许电流单向通过，以是将其接入交流电路时，能使电路中的电流只按单向流动，即所谓“整流”。
    
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    肖特基桥
    
    产品概述
    
    肖特基整流桥产品是由4颗肖特基硅二极管桥式毗连，有四个引出脚。两只二极管负极的毗连点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的毗连点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘朔料封装而成。
    
    产品特点
    
    1
    
    肖特基整流桥
    
    肖特基整流桥，有更低的压降与更快的开关速率，在高频、低电压、大电流整流电路中有更低的温度体现与更好的效率提升。
    
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    低压降桥
    
    产品概述
    
    LOW VF整流桥产品是由四只低压降整流硅芯片作桥式毗连，有四个引出脚。两只二极管负极的毗连点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的毗连点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。LOW VF即是正向压降极低的整流桥。
    
    产品特点
    
    1
    
    低压降桥
    
    所谓LOW VF整流桥是指正向压降低于通俗整流桥的正向压降，凭证热量盘算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，电压越低，所发出的热量越小，相对应的有功功率就越高；以是，同功率电路应用中LOW VF整流桥的效率更高，热量更低。
    
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    逆变桥
    
    产品概述
    
    逆变桥是由四颗快恢复二极管整合一起，即将四颗芯片封装到一个支架上作桥式毗连，有四个引出脚。两只二极管负极的毗连点是直流输出端的“正极”，两只二极管正极的毗连点是直流输出端的“负极”，另两个引脚是交流输入端，外用绝缘塑料封装而成。
    
    产品特点
    
    1
    
    逆变桥
    
    逆变桥事情频率高（10KHz-70KHz）,PCBA面积；反向恢复时间为75ns，反向恢复时间较短, 杂散电容相对较小，以是对EMI 改善有优势。
    
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    采样桥
    
    产品概述
    
    一种集成采样功效的整流桥，即通过收罗电路中的输入电流，实现功率分派、电路；。
    
    产品特点
    
    1
    
    较低的电阻温度系数，较宽的使用温度规模（480℃以下）
    
    具有较低的电阻温度系数，温漂小，输出功率相对稳固.细密电阻封装到整流桥内部，可以使用散热片对细密电阻散热，有用降低细密电阻温度，镌汰温升对电阻阻值的影响
    
    2
    
    简化PCB装配工序，降低装配本钱，一致性高
    
    简化PCB装配工序，降低装配本钱，性价比高；改善外置细密电阻装置工艺重大、批量生产时电阻值一致性欠好、不良率高的问题，提升功率一致性、稳固性。大批量生产时一致性高。
    
    3
    
    镌汰滋扰
    
    改善了细密电阻在线路板上跨接通过，主回途经长，导致滋扰增添和收罗精度误差的问题
    
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    开关桥
    
    产品概述
    
    开关桥是由四只高速开关二极管作桥式毗连，有四个引出脚。两只二极管负极的毗连点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的毗连点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
    
    产品特点
    
    1
    
    开关桥
    
    开关桥有极低的正向压降与极高的开关速率，使用其极低的消耗和极快的开关速率，在电网监测、智能电表、仪器仪表等行业普遍应用。
    
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  - 肖特基
    
    通俗肖特基
    
    产品概述
    
    尊龙凯时肖特基二极管接纳先进的封装工艺，具有低正向压降的特点。电流涵盖了1A到60A，电压从40V到200V全笼罩，可以知足电源产品的高效率，高可靠性的需求。
    
    产品特点
    
    1
    
    低正向压降
    
    多种封装，知足种种电源需求
    
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    高压肖特基
    
    产品概述
    
    尊龙凯时高压肖特基二极管具有较低的VF值和极低的反向泄电流Ir，体现出优异的低温升特征。VRRM高达350V,电流从5A到40A全笼罩，能更好的知足高压输出电源的高效率、高可靠性的需求。
    
    产品特点
    
    1
    
    VF值
    
    较低的VF值
    
    2
    
    反向泄电流
    
    极低的反向泄电流Ir
    
    3
    
    封装
    
    多种封装，知足种种电源的需求
    
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    低压降肖特基
    
    产品概述
    
    尊龙凯时 LOW VF肖特基二极管接纳先进的Trench工艺，具有较低的VF值和极低的高温泄电流，能更好的知足电源产品的高效率，高可靠性的需求。
    
    产品特点
    
    1
    
    VF值
    
    较低的VF值
    
    2
    
    泄电流
    
    极低的高温泄电流
    
    3
    
    封装
    
    多种封装，知足种种电源需求
    
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  - 快恢复
    
    通俗快恢复
    
    产品概述
    
    尊龙凯时快恢复二极管接纳先进的封装工艺，电压从100V到1700V，电流从1A到300A,反向恢复时间从16ns到500ns ,适用于PFC电路，高频高压电源等。
    
    产品特点
    
    1
    
    电压漫衍
    
    富厚的电压漫衍
    
    2
    
    封装形式
    
    多种封装形式，知足种种电源需求
    
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    LOW Trr快恢复
    
    产品概述
    
    尊龙凯时LOW Trr超快恢复二极管具有极低的反向恢复时间Trr和极低的反向恢复电荷Qrr，并具有超快的开关速率，应用于硬开关条件下的PFC电路和高压高频电源的次级整流电路。
    
    产品特点
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    极低的Trr和Qrr，低泄电流。
    
    2
    
    速率
    
    超快的开关速率，减小开关消耗。
    
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    LOW VF 快恢复
    
    产品概述
    
    尊龙凯时LOW VF快恢复二极管具有低的VF值、低泄电流，应用于PFC电路、高频高压电路、次级整流电路。
    
    产品特点
    
    1
    
    VF值和泄电流
    
    低VF值，低泄电流。
    
    2
    
    速率
    
    超快开关速率。
    
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    共阴共阳快恢复
    
    产品概述
    
    尊龙凯时共阴共阳快恢复二极管具有一致性好，低VF值、低Trr、低泄电流的特征，应用于高频桥式整流电路，正负压输出整流电路、高频高压大电流电路。
    
    产品特点
    
    1
    
    VF值及反向恢复时间
    
    低VF值，低反向恢复时间。
    
    2
    
    泄电流
    
    低泄电流
    
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  - 开关管
    
    全系列
    
    产品概述
    
    尊龙凯时开关二极管具有较快的恢复时间和高开关速率的特征，普遍应用于电源、音频、视频、无线通讯、工业等领域。
    
    产品特点
    
    1
    
    TRR
    
    较小的Trr (反向恢复时间）,开关速率快
    
    2
    
    封装体积
    
    封装小，体积小
    
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- ；て骷类
  - TVS
    
    TVS二极管
    
    产品概述
    
    瞬态抑制二极管，TVS。全系列产品都有。
    
    产品特点
    
    1
    
    TVS二极管
    
    1、TVS是一种高品质的突波吸收器，以二极管（伏安特征）并联在电路中。自然界的感应雷击、静电释放、电子装置的电流离涌都是让现代电子系统面临严肃的磨练。在电路中爆发瞬态电压时，TVS使用雪崩原理，以P秒级的反应速率瞬间起到分流限压的作用，从而；じ涸夭槐凰鸹。
    
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  - ESD
    
    静电抑制器
    
    产品概述
    
    抗静电器件，ESD。针对主流竞品，我司均有可替换产品，ESD类我司接受定制物料。
    
    产品特点
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半导体）静电抑制器，小型化的TVS，与TVS有着一样的特征和事情方法。只是随着把内部芯片面积的镌汰，来获得了体积小，电容值。ǖ缛莺吞寤浅烧龋，封装方法多样的特点。主要应用于一些小型号的便携装备的防静电和抗小型脉冲群的处置惩罚。关于ESD TVS 多路防护的产品，也叫阵列产品(IC)。
    
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  - GDT
    
    GDT
    
    产品概述
    
    陶瓷气体放电管，GDT。全系列产品都有，现在正在开发超薄型产品。
    
    产品特点
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷气体放电管”是一种陶瓷封装的、内充低压惰性气体的短路型；て骷，一样平常分二电极和三电极两种结构。基本的事情原理是气体放电。当极间的电场强度凌驾气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与放电管并联的其它器件获得；。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    产品概述
    
    氧化锌压敏电阻，MOV。我司只做贴片类产品SMD-MOV，以及复合功效型产品GMOV。
    
    产品特点
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一种以氧化锌为主要因素的金属氧化物半导体非线性电阻原件，所谓压敏，就是对电压敏感，当电压抵达一定命值的时间，元件最先行动。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    产品概述
    
    半导体放电管，TSS。全系列产品都有。
    
    产品特点
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一种PNPN组件,一个无门电极的自由电压控制的可控硅,当电压凌驾它的断态峰值电压(或称雪崩电压)时，半导体放电会将瞬态电压箝制到组件的开关电压(或称转折电压)值之内。电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态，只有在当电流小于维持电流时，组件才复位并恢复到它的高阻抗状态。
    
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- 功率器件类
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    产品概述
    
    尊龙凯时SGT MOS 具有极低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ，并具有开关速率快等特点，能知足产品温升和效率的要求。
    
    产品特点
    
    1
    
    FOM值
    
    较低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速率
    
    开关速率快
    
    3
    
    封装
    
    多种封装，知足种种电源需求
    
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    Planar MOS
    
    产品概述
    
    尊龙凯时Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点，能知足产品高效和可靠的要求。
    
    产品特点
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    强的EAS性能
    
    3
    
    封装
    
    多种封装，知足种种电源需求
    
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    Trench Mos
    
    产品概述
    
    尊龙凯时Trench MOS 具有较低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，开关速率快并具有强的EAS性能和抗短路性能等特点，能知足产品高效和可靠的要求。
    
    产品特点
    
    1
    
    FOM值
    
    较低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    强的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封装
    
    多种封装，知足种种电源需求
    
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    SJ(超结)MOS
    
    产品概述
    
    尊龙凯时SJ（超结）MOS接纳多层外延工艺，具有低RDS（on）、结电容小、Qg 小，易驱动、开关速率快的特点，使电源更容易实现高效率，高可靠性。
    
    产品特点
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（详细请看产品选型列表）
    
    2
    
    结电容
    
    结电容小、Qg小、易驱动
    
    3
    
    速率
    
    开关速率快
    
    4
    
    封装
    
    多种封装，知足种种电源需求
    
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- 第三代半导体
  - SIC 二极管
    
    碳化硅二极管
    
    产品概述
    
    尊龙凯时碳化硅二极管具极小的反向恢复时间、高浪涌电流、高效可靠的特征，封装主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
    
    产品特点
    
    1
    
    TRR
    
    极小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌电流
    
    3
    
    速率
    
    开关速率快
    
    4
    
    封装
    
    多种封装
    
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    碳化硅MOS管
    
    产品概述
    
    尊龙凯时碳化硅mos管具有低RDS（on）高开关速率，高效可靠，封装TOLL、TO-247等
    
    产品特点
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低导通电阻（RDS（on））
    
    2
    
    速率
    
    高开关速率
    
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- EMI改善
  - 吸收二极管
    
    30M-60M辐射
    
    产品概述
    
    尊龙凯时吸收二极管具有较长的存储时间和较小的Irr,同时具有较长的平缓反向恢复特征，能平缓恢复电流，应用于电源的RCD吸收电路，从而使电源产品抵达更好的EMI特征，知足电源产品高效率、高可靠性的需求。
    
    产品特点
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封装，降低空载消耗，对30MHZ~60MHZ的EMI辐射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%负载时，提升转换效率2%~3%, 综合效率提升约0.8%
    
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  - 软桥
    
    9K-1M传导
    
    产品概述
    
    通过优化二极管Ta/Tb(开通时间/关断时间)较软的恢复特征，大幅镌汰谐波振荡的爆发，从而镌汰或者减小桥堆周边EMI抑制器件的使用或者使用规格，例如X电容，共模电感，差模电感等。
    
    产品特点
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低频传导特征；降低AC输入线杂散电感；通过桥堆中整流二极管较平滑的恢复特征，抑制交流输入电压整流后造成的高频滋扰。
    
    2
    
    2、节约BOM本钱
    
    有用镌汰输入端共模电感与X电容的使用；由通俗共模电感+X电容+差模电感改为π型滤波（CLC滤波），降低BOM本钱。
    
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